Ypsilon | Integrated Hybrid Amplifier
Ypsilon PHAETHON neo
Integrated Hybrid Amplifier
独自の回路技術とトランス技術を凝縮したインテグレーテッドアンプ
psilon PHAETHON neoは、独自の技術と設計アプローチを随所に取り入れたインテグレーテッドアンプです。
従来のPhaethonで培われた独自技術をベースに、回路の要所をさらに磨き上げることで、より高いパフォーマンスを追求。小型の筐体にYpsilonの技術を凝縮し、ハイブリッド構成ならではのスピーカー駆動力と、Ypsilonならではの繊細で透明感のあるサウンドを両立しています。真空管とMOS-FETによるハイブリッド回路に加え、Ypsilonが得意とするトランス技術を組み合わせた3段のゲインステージを採用。ボリュームコントロールにはトランス式アッテネーターを、真空管による前段とMOS-FETによる出力段の間には専用設計のインターステージトランスを配置しています。
さらに、真空管段と出力段には独立した電源回路を設け、低ノイズ化のための電源インダクターを採用。これらを一体として設計することで、インテグレーテッドアンプという限られた筐体の中に、Ypsilon独自の技術を凝縮しています。
※ディスプレイが新仕様のTFTディスプレイへ変更されました。


真空管とMOS-FETによる3段ゲインステージ
PHAETHON neoは、真空管を用いたアクティブ・プリアンプ段を含む、3段のゲインステージで構成されています。入力段には低ノイズの双三極管6H30を採用。出力段には同じ極性の半導体を両位相に使用する「ブリッジド・シングルエンデッド」方式を採用し、A級動作となるよう高いバイアスを設定しています。この独自の出力段は、A級アンプならではの繊細な信号再現性を保ちながら、多くのスピーカーを駆動するための十分なパワーを確保。「最も重要な最初のワット」をA級動作で再生することで、音楽信号の微細なニュアンスからダイナミックな表現まで、幅広く対応します。
自社設計・自社製造によるトランス式アッテネーター
Ypsilonの特徴のひとつが、長年培ってきたトランス技術です。
PHAETHON neoのボリューム回路には、自社設計・自社製造によるトランス式アッテネーターを採用。2次側巻線に31個のタップを設け、トランスの巻線比を切り替えることで、31段階のボリュームコントロールを行います。抵抗器を使用した一般的なアッテネーターでは、信号エネルギーの損失を原理的に避けることができません。一方、トランス式アッテネーターでは、信号エネルギーを損なうことなく音量をコントロールすることを可能にしています。透明感のあるサウンドを実現するこのトランス式アッテネーターは、PHAETHON neoの音質を支える重要な要素のひとつです。


前段と出力段を結合するインターステージトランス
Ypsilonが長年培ってきたトランス技術は、増幅回路にも活かされています。PHAETHON neoでは、真空管を用いた前段とMOS-FETによる出力段を結合するため、専用設計のインターステージトランスを採用しています。インピーダンスを適切にマッチングさせながら信号を次段へ伝送することで、信号エネルギーの損失を抑制。Ypsilon独自のトランス技術と増幅回路を組み合わせることで、繊細なニュアンスを描き出す透明感と、エネルギーに満ちたサウンドの両立を目指しています。
真空管段と出力段に独立した電源回路
PHAETHON neoでは、真空管段と出力段にそれぞれ独立した電源回路を設けています。電源部には2基の電源トランスと5基の電源インダクターを採用し、低ノイズ化のためのフィルタリングを行っています。さらに、信号系には4基のシグナルトランスを使用。増幅回路だけでなく電源回路や信号伝送に至るまで、それぞれの要素を一体として設計することで、インテグレーテッドアンプとしての性能を高めています。


高解像度TFTディスプレイとフルファンクション・リモートコントロール
PHAETHON neoの各種機能は、フルファンクション・リモートコントロールによって操作できます。本体には高解像度TFTディスプレイを搭載。大きな文字で情報を表示することで、部屋の離れた場所からでも容易に確認できる高い視認性を実現しています。
スペック Technical Specification
方式
ハイブリッド式ステレオインテグレーテッドアンプ
回路方式
シングルエンド(アンバランス)
ゲインステージ
3段
使用真空管
2x 6H30 (入力段、ドライバー段)
入力端子
3 x RCA (アンバランス)
1 x XLR (アンバランス)
スピーカー端子
1ペア(Spade, Banana対応)
定格出力
110W RMS / 8 Ohm
180W RMS / 4 Ohm
ボリューム
トランス2次巻線切替方式(31タップ)
3 dB:ステップ1~5
2 dB:ステップ6~10
1.5 dB:ステップ11~28
1 dB:ステップ29~31
周波数特性
11Hz 〜 75 kHz, -3dB
出力インピーダンス
0.5 Ohm
入力インピーダンス
47k Ohm
ゲイン
60倍(約35.6 dB)
アイドリング時消費電力
125W
外形寸法
400 (W) x 185 (H) x 425 (D) mm
質量
35 kg
方式 | ハイブリッド式ステレオインテグレーテッドアンプ |
回路方式 | シングルエンド(アンバランス) |
ゲインステージ | 3段 |
使用真空管 | 2x 6H30 (入力段、ドライバー段) |
入力端子 | 3 x RCA (アンバランス) |
スピーカー端子 | 1ペア(Spade, Banana対応) |
定格出力 | 110W RMS / 8 Ohm |
ボリューム | トランス2次巻線切替方式(31タップ) |
周波数特性 | 11Hz 〜 75 kHz, -3dB |
出力インピーダンス | 0.5 Ohm |
入力インピーダンス | 47k Ohm |
ゲイン | 60倍(約35.6 dB) |
アイドリング時消費電力 | 125W |
外形寸法 | 400 (W) x 185 (H) x 425 (D) mm |
質量 | 35 kg |

